Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIA468DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PowerPAK, Canal N, 16.1 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS6863.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA469DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1846 |
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SIA471DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 30V 30,3A 11,5mOhm
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, -30.3 A, -30 V, 0.0115 ohm, -10 V, -2.5 V.
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Precio unitario: 0,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIA483ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CHAN.FET 12A 30V PP-SC70-6 |
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Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA483DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W
Otros nombres: TMOS1336.
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Precio unitario: 0,198€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA511DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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SIA517DJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIA517DJ-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 4,5 A, 12 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 12 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA519EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1245 |
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SIA537EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: N/P-Ch PPAK SC-70 12/20 V 28/54mohms @ 4.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA817EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,105€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SIA906EDJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 4,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Simple Si.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA910EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: TMOSS6312.
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1269 |
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SIA914ADJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14130 |
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SIA921EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIA921EDJ-T1-GE3, Dual, P-Canal, 4,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si |
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Precio unitario: 0,428€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIA923EDJ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIA923EDJ-T1-GE3 Dual, P-Canal, 4,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) |
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |