Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIDR638DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.00073 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,753€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR638DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIDR638DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 8-Pin, POWERPAK SO-8DC TrenchFET® Gen IV |
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR668DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIDR680DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR870ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5652 |
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SIGFOX-GEVB |
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Fabricado por:
Placa de Evaluación, Shield SIGFOX, Solución en Chip Único, Aplicaciones de Internet de las Cosas |
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Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA100N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA100N60E-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 Simple |
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Precio unitario: 4,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA105N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA105N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FULLPAK SiHA105N60EF |
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Precio unitario: 2,287€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHA120N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHA125N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FULLPAK SiHA125N60EF |
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Precio unitario: 2,677€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA15N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 996 |
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SIHA15N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHA17N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA17N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 7 A, 800 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E |
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Precio unitario: 1,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA17N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 2,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |