Mostrando 69447 resultados para Ge.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIHG35N60EF-GE3
SIHG35N60EF-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.084 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 2,629€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIHG460B-GE3
SIHG460B-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Otros nombres: MOSFET, SIHG460B-GE3, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC D Series Simple Si.

Precio unitario: 1,610€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 91
SIHG47N60AEF-GE3
SIHG47N60AEF-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.061 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 4,637€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 500
SIHG47N60AEL-GE3
SIHG47N60AEL-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC.

Precio unitario: 4,982€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 48
SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 5,083€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 588
SIHG47N60EF-GE3
SIHG47N60EF-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

MOSFET N-CHANNEL 600V

- Precio unitario: 3,961€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

MOSFET N-CHANNEL 650V

- Precio unitario: 2,850€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIHG64N65E-GE3
SIHG64N65E-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIHG64N65E-GE3, N-Canal-Canal, 64 A, 650 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

- Precio unitario: 9,379€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIHG70N60AEF-GE3
SIHG70N60AEF-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.0355 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: STDMOS1614.

Precio unitario: 5,741€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 992
SIHG70N60EF-GE3
SIHG70N60EF-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

- Precio unitario: 8,798€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIHG73N60AE-GE3
SIHG73N60AE-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 5,772€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 500
SIHG73N60AEL-GE3
SIHG73N60AEL-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 69 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 69A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 7,052€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 650 V, 0.032 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 73A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, SIHG73N60E-GE3, N-Canal-Canal, 73 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.

Precio unitario: 7,372€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3161
SIHG80N60EF-GE3
SIHG80N60EF-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 600 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 8,264€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 47
SIHH068N60E-T1-GE3
SIHH068N60E-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: TMOS2658.

Precio unitario: 3,541€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí