Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA00DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIRA00DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 830 µohm, 10 V, 1.1 V.
|
- |
Precio unitario: 0,813€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA01DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
|
Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5802 |
|
|
SIRA02DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIRA02DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 50 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.00165 ohm, 10 V, 1.1 V.
|
- |
Precio unitario: 1,206€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA06DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIRA06DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1.1 V.
|
- |
Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA10BDP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N-CH 30V 25A 3,7mOhm PPAK SO-8 |
- |
Precio unitario: 0,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA12BDP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5950 |
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 25A, POWERPAK SO-8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5828 |
|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N-CH 30V 21A 5,4mOhm PPAK SO-8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 64 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.2 V.
|
|
Precio unitario: 0,283€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA14DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIRA14DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 58 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V.
|
- |
Precio unitario: 0,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA18DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA18DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 15,5 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,195€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8081 |
|
|
SIRA24DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
|
Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA28BDP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,141€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
|
|
SIRA54DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N-CH 40V 60A 2,35mOhm PPAK... |
- |
Precio unitario: 0,762€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
SIRA58DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N-CH 40V 109A 2,65mOhm PPAK... |
- |
Precio unitario: 0,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |