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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIS126DN-T1-GE3
SIS126DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 45.1 A, 80 V, 0.0085 ohm, 10 V, 3.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Otros nombres: MOSFET, SIS126DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 45.1 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.

Precio unitario: 0,356€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 40
SIS128LDN-T1-GE3
SIS128LDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 33.7 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Precio unitario: 0,360€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 65.3 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: TMOS6473.

Precio unitario: 0,525€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3434
SIS322DNT-T1-GE3
SIS322DNT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

- Precio unitario: 0,190€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS402DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,655€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIS406DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si

- Precio unitario: 0,323€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS407ADN-T1-GE3
SIS407ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

P-Ch PowerPAK1212 Cu 20V 9 mohm@4.5V

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -20 V, 0.0073 ohm, -4.5 V, -1 V.

- Precio unitario: 0,231€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -400 mV

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A; 21W.

Precio unitario: 0,359€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2422
SIS410DN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,381€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1476
SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

N-Ch PowerPAK1212 30V 24mohm@10V- Lead(P

- Precio unitario: 0,205€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS413DN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

P-Ch PowerPAK1212 Cu 30V 9.4mohm@10V

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V.

- Precio unitario: 0,190€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,226€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6886
SIS415DNT-T1-GE3
SIS415DNT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIS415DNT-T1-GE3, P-Canal, 22 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si

- Precio unitario: 0,260€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS430DN-T1-GE3
SIS430DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIS430DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 25 V, 8-Pin, PowePAK 1212 Simple Si

- Precio unitario: 0,466€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIS434DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V.

Precio unitario: 0,768€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4031