Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISH625DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SISHA04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISHA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple.
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46 |
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SISHA10DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SISHA10DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.2 V.
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Precio unitario: 0,281€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISHA12ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISHA14DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS3570.
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Precio unitario: 0,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SISS02DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 25 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,510€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,540€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5575 |
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SISS05DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -108 A, -30 V, 0.0028 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -108A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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SISS06DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 172.6 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 172.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,448€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS08DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 195.5 A, 25 V, 0.00102 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 195.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS10ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS12DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 40 V, 0.00161 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOS2861.
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Precio unitario: 0,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SISS22DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 60V 90,6A 3,25mOhm
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 90.6 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.6 V.
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SISS23DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -20 V, 0.0035 ohm, -4.5 V, 900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SISS23DN-T1-GE3, P-Canal, 27 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,269€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISS26DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,781€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4106 |