Mostrando 119 resultados para Genesic Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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G3R75MT12K |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W |
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Precio unitario: 7,983€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GA01PNS150-201 |
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Fabricado por:
Diodo Pin / de RF, Único, DO-201, 2 Pines, 22 pF Configuración de Diodo: Único Encapsulado del Diodo: DO-201 Núm. de Pines: 2 Pines |
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Precio unitario: 453,960€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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GA03SLT12-220 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Silicio, Serie 1200V, Único, 1.2 kV, 3 A, 11 nC, TO-220AC Rango de Producto: Serie 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 2,008€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 509 |
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GA04JT17-247 |
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Fabricado por:
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB Encapsulado del Transistor: TO-247AB Tipo de Transistor: JFET Núm. de Pines: 3 Pin |
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Precio unitario: 24,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 72 |
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GA05JT12-263 |
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Fabricado por:
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 5A, TO-263 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
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Precio unitario: 11,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46 |
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GA08JT17-247 |
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Fabricado por:
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB Encapsulado del Transistor: TO-247AB Tipo de Transistor: JFET Núm. de Pines: 3 Pin |
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Precio unitario: 39,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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GA20SICP12-263 |
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Fabricado por:
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Disipación de Potencia Pd: 157W |
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Precio unitario: 47,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29 |
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GAP3SLT33-214 |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 3,3kV; 300mA |
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Precio unitario: 7,091€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GAP3SLT33-220FP |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 3,3kV; 300mA |
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Precio unitario: 7,091€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GB01SLT06-214 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 2.5A
Otros nombres: DIODE, SCHOTTKY, 1A, 650V, DO-214AA-2, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 650V; 1A; DO214.
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Precio unitario: 1,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GB01SLT12-214 |
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Fabricado por:
DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA Rango de Producto: 1200V Series Configuración de Diodo: Single Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, MPS Series, Único, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 1A.
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Precio unitario: 2,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2504 |
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GB01SLT12-220 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Silicio, Serie 1200V, Único, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC Rango de Producto: Serie 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 1,552€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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GB01SLT12-252 |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 1A |
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GB02SLT12-214 |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 2A |
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Precio unitario: 1,862€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GB02SLT12-220 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Silicio, Serie 1200V, Único, 1.2 kV, 2 A, 14 nC, TO-220AC Rango de Producto: Serie 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 1,698€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 405 |