Mostrando 84 resultados para Hosa.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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DZ800S17K3HOSA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 92,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FD200R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 82,246€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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FD300R06KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, FD300R06KE3HOSA1, Único, 400 A, 600 V, N-Canal, Módulo 62MM, 7-Pines La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal … |
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Precio unitario: 74,872€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FF100R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 71,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FF100R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 42,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF150R12KE3GB2HOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, FF150R12KE3GB2HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie |
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Precio unitario: 76,383€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF150R12KE3GHOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 79,763€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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FF150R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12KS4HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
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Precio unitario: 80,714€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF150R12KT3GHOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 79,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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FF150R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 52,332€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF150R17KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 250A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 81,691€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF200R06KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 260A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 73,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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FF200R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF200R12KE3HOSA1, N-Canal, 295 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
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Precio unitario: 87,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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FF200R12KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 240A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 75,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FF200R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, FF200R12KS4HOSA1, N-Canal, 275 A, 1.200 V, AG-62MM-1 Serie
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 93,905€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |