Mostrando 3926 resultados para IXYS.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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DAA10P1800PZ-TUB |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador; SMD; 1,8kV; 10A; Empaquetado: tubo; TO263ABHV |
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Precio unitario: 1,775€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 50 |
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DAA200X1800NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,8kV; If: 2x100A; SOT227B |
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Precio unitario: 21,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 20 |
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DAA200XA1800NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,8kV; If: 2x100A; SOT227B |
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Precio unitario: 21,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 20 |
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DCG100X1200NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 2x47A; SOT227B |
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Precio unitario: 115,430€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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DCG10P1200HR |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 12,5A |
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Precio unitario: 24,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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DCG130X1200NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 2x60A; SOT227B |
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Precio unitario: 165,870€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 9 |
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DCG160X650NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 650V; 2x80A; SOT227B; SiC |
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Precio unitario: 77,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DCG17P1200HR |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 18A |
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Precio unitario: 56,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 30 |
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DCG20C1200HR |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x12,5A |
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Precio unitario: 22,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 30 |
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DCG35C1200HR |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x18A |
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Precio unitario: 58,394€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 60 |
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DCG45X1200NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; 2x22A; SOT227B; SiC
Otros nombres: POWMOD1326.
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Precio unitario: 61,740€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 7 |
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DCG85X1200NA |
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Fabricado por:
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 2x41A; SOT227B
Otros nombres: POWMOD1311.
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Precio unitario: 96,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4 |
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DE150-501N04A |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Disipación de Potencia Pd: 200W |
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Precio unitario: 34,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 66 |
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DE275-201N25A |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Disipación de Potencia Pd: 590W |
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Precio unitario: 38,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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DE275-501N16A |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Disipación de Potencia Pd: 590W |
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Precio unitario: 36,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |