Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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BDP949 H6327 |
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Fabricado por:
NPN TRANSISTOR 60V 3A 5W... |
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BDP950H6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor, BDP950H6327XTSA1, PNP 3 A 60 V SOT-223, 3 + Tab pines, Simple
Otros nombres: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 5W; SOT223.
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Precio unitario: 0,468€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BDP953 H6327 |
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Fabricado por:
NPN TRANSISTOR 100V 3A 5W... |
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Precio unitario: 0,592€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BDP953H6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor, BDP953H6327XTSA1, NPN 3 A 100 V SOT-223, 3 + Tab pines, Simple |
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Precio unitario: 0,468€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BDP954H6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor, BDP954H6327XTSA1, PNP 3 A 100 V SOT-223, 3 + Tab pines, 100 MHz, Simple |
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Precio unitario: 0,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF 2040 E6814 |
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Fabricado por:
N-CH RF-MOSFET 8V 40mA SOT143 |
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BF1009SR E6327 |
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Fabricado por:
NPN RF-Trans. 12V 25mA... |
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BF2040E6814 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT |
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Precio unitario: 0,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2480 |
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BF2040E6814HTSA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Tetrode, BF2040E6814HTSA1, N-Canal, 40 mA, 8 V, 4-Pin, SOT-143 Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon
Otros nombres: Transistor FET de RF, 8 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143.
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Precio unitario: 0,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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BF2040WH6814 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT343; SMT |
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Precio unitario: 0,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF2040WH6814XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 mA, 8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V |
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Precio unitario: 0,053€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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BF5030WH6327 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 25mA; 200mW; SOT343; SMT |
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Precio unitario: 0,071€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF5030WH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Tetrode, BF5030WH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 25 mA, 8 V, Reducción, 4-Pin, SOT-343 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 250 mA, 8 V.
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Precio unitario: 0,091€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BF771E6327HTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 8GHz |
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14705 |
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BF776H6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4V Frecuencia de Transición ft: 46GHz |
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Precio unitario: 0,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11688 |