Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, BSD214SNH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 OptiMOS 2

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSS6554

P+P CH.MOS-FET 0,39A 20V...

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -390mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSS6436

N+P CHAN. 0,95/0,53A 20V...

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Complemento N y P, 950 mA, 20 V

Polaridad de Transistor: Complemento N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSS6630

N+N CHAN. 0,95A 20V SOT363

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 950 mA, 20 V, 0.266 ohm, 4.5 V, 950 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1,5A; 0,5W; PG-SOT-363

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -1.5 A, 30 V, 0.107 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS6222

N-CH 30V 1,4A 120mOhm SOT-363

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, BSD816SNH6327XTSA1, N-Canal, 1,4 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88)

La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de …

Fabricado por: Infineon Technologies

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,4A; 0,5W; SOT363

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSS6664

N+N CHAN. 0,88A 20V SOT363

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal N Doble, 880 mA, 20 V, 0.27 ohm

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 880mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V