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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
BSL308PEH6327XTSA1
BSL308PEH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, BSL308PEH6327XTSA1, Dual, P-Canal, 2 A, 30 V, 6-Pin, TSOP OptiMOS P Aislado Si

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V.

- Precio unitario: 0,140€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSL314PE H6327
BSL314PE H6327

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1236

P-CH 30V 150mOhm PG-TSOP-6

Precio unitario: 0,173€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
BSL314PEH6327XTSA1
BSL314PEH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon Technologies

Transistores multicanal

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,2A; 0,5W; PG-TSOP-6

Precio unitario: 0,142€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2994
BSL316C H6327
BSL316C H6327

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1808

N/P-CH 30V 1,4A 150mOhm TSOP6

Precio unitario: 0,168€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
BSL316CH6327XTSA1
BSL316CH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Complemento N y P, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Complemento N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, BSL316CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,4 A, 1,5 A, 30 (canal N) V, -30 (canal P) V, 6-Pin, PG-TDSOP OptiMOS, MOSFET, BSL316CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,4 A, 1,5 A, 30 V, 6-Pin, PG-TDSOP OptiMOS Aislado Si.

Precio unitario: 0,112€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSL372SN H6327
BSL372SN H6327

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS2876

N-CH 100V 2A 151mOhm TSOP6

Otros nombres: TMOS1372.

- Precio unitario: 0,237€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
BSL372SNH6327XTSA1
BSL372SNH6327XTSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6

Precio unitario: 0,191€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 180
BSL373SN H6327
BSL373SN H6327

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOS1373

N-CH 100V 2A 230mOhm TSOP6

- Precio unitario: 0,194€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
BSL373SNH6327XTSA1
BSL373SNH6327XTSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6

Precio unitario: 0,182€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2294
BSL606SN H6327
BSL606SN H6327

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1017

N-CH MOS-FET 4,5A 60V TSOP-6

Precio unitario: 0,255€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSL606SNH6327XTSA1
BSL606SNH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,164€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6283
BSL716SNH6327XTSA1
BSL716SNH6327XTSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 2,5A; 2W; TSOP6

Precio unitario: 0,127€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 387
BSL802SNH6327XTSA1
BSL802SNH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 7.5 A, 20 V, 0.018 ohm, 2.5 V, 550 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,146€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3347
BSM100GB120DN2K
BSM100GB120DN2K

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 100A

Precio unitario: 101,850€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 7
BSM100GB60DLC
BSM100GB60DLC

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT1676

2-SWITCH 600V 200A 34mm

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 100A.

Precio unitario: 70,878€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí