Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -7 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7,2A; 1,56W; PG-DSO-8

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOSP8979

DUAL 55V 5A 35mOhm SO-8

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 5 A, 55 V, 0.031 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, BSO612CVGHUMA1 N/P-Canal, 2 A, 3 A, 60 V, 8-Pin, DSO

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS3044

P-CH 60V 3,44A 110mOhm SO-8

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, BSO613SPVGHUMA1, P-Canal, 3,4 A, 60 V, 8-Pin, SOIC

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,44A; Idm: -13,8A; 2,5W; SO8

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOS1248

N+P CH -60/60V -2/3,1A SO-8

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS2887

DUAL 60V 3A 150mOhm SO-8

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: Infineon

Standard Bipolar Transistor

TDSTD9434

NPN DARL.TRANSISTOR 80V...

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V