Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
F4-8MR12W2M1HP_B76 |
|
Fabricado por:
4xCoolSiC-MOD 1200V 100A... |
- |
Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
F4-8MR12W2M1H_B70 |
|
Fabricado por:
4xCoolSiC-MOD 1200V 100A... |
|
Precio unitario: 335,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
F4100R12KS4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 130A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
|
Precio unitario: 133,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
F4150R12KS4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Módulo IGBT, F4150R12KS4BOSA1, Puente, 180 A, 1.200 V, N-Canal, AG-ECONO3-4 La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal …
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 960W, Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module.
|
|
Precio unitario: 186,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
F430R06W1E3 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 165 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
|
Precio unitario: 17,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
F450R12KS4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 355W |
|
Precio unitario: 86,621€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 9 |
|
|
F450R12KS4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 70 A, 3.2 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 70A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
|
Precio unitario: 77,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
F475R06W1E3 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 275W |
- |
Precio unitario: 29,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
F475R06W1E3BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
|
Precio unitario: 28,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 72 |
|
|
F475R12KS4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Módulo IGBT, F475R12KS4B11BOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO2, 24-Pines, 1MHZ Medio puente doble |
- |
Precio unitario: 101,385€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
F475R12KS4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
|
Precio unitario: 97,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
F5-75R06KE3_B5 |
|
Fabricado por:
IGBT 600V 75A EconoPACK |
|
Precio unitario: 427,625€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
FB20R06W1E3 |
|
Fabricado por:
MODUL 650V 20A EasyPACK |
|
Precio unitario: 35,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
FB30R06W1E3 |
|
Fabricado por:
IGBT 600V 60A EasyPIM
Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 30A.
|
|
Precio unitario: 39,741€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
FD1000R33HE3-K |
|
Fabricado por:
IGBT 3300V 1000A 2,55V... |
|
Precio unitario: 2,055,682€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |