Mostrando 13757 resultados para Infineon.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FS100R17PE4BOSA1
FS100R17PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Módulos IGBT

Módulo IGBT, FS100R17PE4BOSA1, Puente trifásico, 100 A, 1700 V, N-Canal, ECONO4, 20-Pines

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal …

Precio unitario: 144,359€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS10R06VE3B2BOMA1
FS10R06VE3B2BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 16 A, 1.55 V, 50 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 16A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS10R06VE3B2BOMA1, N-Canal, 16 A, 600 V, EASY750, 15-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 13,793€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 64
FS10R12VT3
FS10R12VT3

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 64W

Precio unitario: 12,610€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS10R12VT3BOMA1
FS10R12VT3BOMA1

Fabricado por: Infineon

IGBT

Módulo IGBT, FS10R12VT3BOMA1, N-Canal, 16 A, 1.200 V, EASY750, 11-Pines, 1MHZ Trifásico

- Precio unitario: 14,757€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R06KE3
FS150R06KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2209

3PH-IGBT 600V 150A EconoPACK3

Precio unitario: 200,848€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R06KE3BOSA1
FS150R06KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.45 V, 430 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 122,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R07N3E4
FS150R07N3E4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2759

IGBT 650V 150A EconoPACK3

Precio unitario: 196,803€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS150R07PE4
FS150R07PE4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2304

IGBT 650V 150A EconoPACK4

Precio unitario: 228,775€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS150R12KE3
FS150R12KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1645

SIXPACK 1200V 200A EconoPACK3

Precio unitario: 283,473€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS150R12KE3BOSA1
FS150R12KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

IGBT

Módulo IGBT, FS150R12KE3BOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module.

- Precio unitario: 172,408€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KT3
FS150R12KT3

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT3287

IGBT 1200V 150A 1,70V...

Precio unitario: 282,144€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KT3BOSA1
FS150R12KT3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 152,290€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17
FS150R12KT4
FS150R12KT4

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 750W

Precio unitario: 179,450€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KT4B11BOSA1
FS150R12KT4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 145,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KT4B9BOSA1
FS150R12KT4B9BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 166,840€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5