Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB50N10S3L16ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB50N10S3L16ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 100 V, 0.0131 ohm, 10 V, 1.7 V.
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Precio unitario: 1,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB50R140CP |
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Fabricado por:
N-CH 500V 23A 140mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 3,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB50R140CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 550V |
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Precio unitario: 1,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 701 |
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IPB50R199CPATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB50R199CPATMA1, N-Canal-Canal, 17 A, 550 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS CP Simple Si |
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Precio unitario: 1,363€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB50R250CPATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB50R299CPATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB50R299CPATMA1, N-Canal, 12 A, 550 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101. |
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Precio unitario: 0,979€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IPB530N15N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 150V 21A 44mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB530N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 989 |
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IPB600N25N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 250V 60mOhm 25A TO263 |
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Precio unitario: 1,872€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB600N25N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB600N25N3GATMA1, N-Canal-Canal, 25 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,037€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1662 |
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IPB60R040C7 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 50A 34mOhm D2PAK
Otros nombres: TMOS2111.
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Precio unitario: 6,528€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB60R040C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 9,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 546 |
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IPB60R060C7 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 35A 60mOhm TO263 |
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Precio unitario: 4,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB60R060C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R060P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Otros nombres: TMOS1975.
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Precio unitario: 3,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |