Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOSP10326

N-CH 650V 7A 600mOhm TO263-3

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOSP10470

N-CH 650V 6A 660mOhm TO263-3

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPB70N04S406ATMA1, N-Canal-Canal, 70 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSP9725

N-CH 100V 70A 12mOhm TO263-3

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPB70N10S3L12ATMA1, N-Canal, 70 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPB70P04P409ATMA1, P-Canal, 72 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS P Simple Si

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPB80N03S4L02ATMA1, N-Canal, 80 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de …

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSP11540

N-CH 40V 80A 3.7mOHM AECQ...

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 300W; PG-TO263-3

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOSP9727

MOSFET 40V 4.5mOHM AECQ TO263

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSP10643

N-CH 40V 80A 4,2mOhm TO263-3

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 40 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V