Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPI80N08S207AKSA1, N-Canal, 80 A, 75 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262)

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOS1419

N-CH 40V 90A 2,5mOhm TO262-3

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPI90N04S402AKSA1, N-Canal-Canal, 90 A, 40 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) OptiMOS T2 Simple Si

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N THT

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO262-3

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOSP9423

N-CH 900V 11A 500mOhm TO262-3

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPI90R500C3XKSA1, N-Canal-Canal, 11 A, 900 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) CoolMOS C3 Simple Si

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IPI90R800C3XKSA1, N-Canal, 6,9 A, 900 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262)

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOS2422

N-CH 650V 153A 60mOhm

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOS1021

N-CH 600V 29A 65mOhm...

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 3.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 41 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 3.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 41A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V