Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF7306TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3.6 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7306TRPBF Dual, P-Canal, 3,6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,285€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13057 |
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IRF7307PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, IRF7307PBF Dual N/P-Canal, 4,7 A, 5,7 A, 20 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7307TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7307TRPBF, Dual, N/P-Canal, 4,7 A, 5,7 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV.
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Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7309PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7309PBF, Dual, N/P-Canal, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7309TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7309TRPBF, Dual, N/P-Canal, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 33314 |
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IRF7311PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.6 A, 20 V, 0.029 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSP11871.
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Precio unitario: 0,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7311TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1571 |
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IRF7313PBF |
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Fabricado por:
2N-CH 30V 6,5A 29mOhm SO8
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,297€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7313TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7313TRPBF Dual, N-Canal, 6,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,387€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7314PBF |
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Fabricado por:
2P-CH -20V 5,3A 58mOhm SO8
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, 4.2 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV.
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Precio unitario: 0,321€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7314TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -5.3 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, IRF7314TRPBF, Dual, P-Canal, 5,3 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2434 |
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IRF7316PBF |
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Fabricado por:
2P-CH -30V 4,9A 58mOhm SO8
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, 4.9 A, -30 V, 0.058 ohm, -10 V, -1 V.
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Precio unitario: 0,334€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7316TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7316TRPBF, Dual, P-Canal, 4,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V.
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7317PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7317PBF Dual N/P-Canal, 5,3 A, 6,6 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV.
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Precio unitario: 0,631€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF7317TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7317TRPBF, Dual, N/P-Canal, 5,3 A, 6,6 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV.
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Precio unitario: 0,326€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |