Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -55V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IRF7343PBF Dual N/P-Canal, 3,4 A, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IRF7351TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si

Fabricado por: Infineon (Irf)

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 2W; SO8

Fabricado por: Infineon (Irf)

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 2W; SO8

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOS1152

N-CH 80V 3,6A 73mOhm SO-8

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.6 A, 80 V, 0.061 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IRF7389TRPBF, Dual, N/P-Canal, 5,3 A, 7,3 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IRF7401PBF, N-Canal-Canal, 8,7 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 8.7 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 700 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 700 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, IRF7403TRPBF, N-Canal, 8,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.