Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7483MTRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7483MTRPBF, N-Canal, 135 A, 40 V, 4+Tab-Pin, MF La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
Otros nombres: Transistor MOSFET, StrongIRFET™, Canal N, 135 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V.
|
|
Precio unitario: 1,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7488TRPBF |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 80 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
|
Precio unitario: 0,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4120 |
|
|
IRF7490PBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7490PBF, N-Canal, 5,4 A, 100 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 4 V.
|
|
Precio unitario: 0,695€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
IRF7490TRPBF |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP11959.
|
|
Precio unitario: 0,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3170 |
|
|
IRF7493PBF |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 80 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IRF7493PBF, N-Canal, 9,3 A, 80 V, 8-Pin, SOIC.
|
|
Precio unitario: 0,548€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7493TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7493TRPBF, N-Canal-Canal, 9,3 A, 80 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 80 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V.
|
- |
Precio unitario: 0,903€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7495PBF |
|
Fabricado por:
N-CH 100V 7,3A 22mOhm SO8 |
|
Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7495TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7495TRPBF, N-Canal-Canal, 7,3 A, 100 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 7.3 A, 100 V, 0.018 ohm, 10 V, 4 V.
|
- |
Precio unitario: 0,879€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7501TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4000 |
|
|
IRF7503PBF |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.4 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7503TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7503TRPBF Dual, N-Canal, 2,4 A, 30 V, 8-Pin, MSOP Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N doble.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.4 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1 V.
|
|
Precio unitario: 0,157€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7504TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.7 A, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -700 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
|
Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2045 |
|
|
IRF7506TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7506TRPBF, Dual, P-Canal, 1,7 A, 30 V, 8-Pin, MSOP HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.7 A, -30 V, 0.27 ohm, -10 V, -1 V.
|
- |
Precio unitario: 0,262€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRF7507TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, IRF7507TRPBF, Dual, N/P-Canal, 1,7 A, 2,4 A, 20 V, 8-Pin, MSOP HEXFET Aislado Si.
|
|
Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4000 |
|
|
IRF7509TRPBF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRF7509TRPBF, Dual, N/P-Canal, 2 A, 2,7 A, 30 V, 8-Pin, MSOP HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 2.7 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 1 V.
|
- |
Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |