Mostrando 13757 resultados para Infineon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF7842PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7842PBF, N-Canal, 18 A, 40 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 40 V, 0.005 ohm, 4.5 V, 2.25 V.
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Precio unitario: 0,856€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7842TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7842TRPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 40 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V.
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Precio unitario: 1,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7853PBF |
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Fabricado por:
N-CH 100V 8,3A 18mOhm SO8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8.3 A, 100 V, 0.018 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 0,721€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7853TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7853TRPBF, N-Canal-Canal, 8,3 A, 100 V, 8-Pin, SOIC HEXFET
Otros nombres: Transistor MOSFET, HEXFET®, Canal N, 8.3 A, 100 V, 0.0144 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 0,912€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7854TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7854TRPBF, N-Canal-Canal, 10 A, 80 V, 8-Pin, SOIC HEXFET
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 80 V, 0.011 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 1,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7855PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IRF7855PBF, N-Canal, 12 A, 60 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,617€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 43 |
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IRF7855TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7855TRPBF, N-Canal-Canal, 12 A, 60 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 0,556€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7862PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7862PBF, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 5.4 V.
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Precio unitario: 0,857€ Unidades/pack: N/D Entrega: 22 días Stock: Sí |
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IRF7862TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.35 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7862TRPBF, N-Canal-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET.
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Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1689 |
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IRF7902TRPBF |
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Fabricado por:
Dual N-CH 30V 9,7A 18,1mOhm...
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6,4A; 1,4W; SO8.
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Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7904TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 11 A, 30 V, 0.0086 ohm, 10 V, 2.25 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,324€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 648 |
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IRF7905TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7905TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 7,8 A, 8,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.8 A, 30 V, 0.0174 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7907PBF |
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Fabricado por:
2N-CH 30V 9,1A 11,8mOhm SO8
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7907TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 11 A, 30 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7907TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 9,1 A, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET.
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3048 |
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IRF7910PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 10 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |