Mostrando 342 resultados para Ixys Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFN180N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, HiPerFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 16,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 68 |
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IXFN180N15P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 150A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IXFN180N15P, N-Canal-Canal, 150 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 11,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN180N20 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 200 V, 0.01 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 28,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN200N07 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, HiPerFET, Canal N, 200 A, 70 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 70V |
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Precio unitario: 16,005€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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IXFN200N10P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET.
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Precio unitario: 13,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 47 |
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IXFN230N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 230 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 230A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS6896.
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Precio unitario: 26,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 214 |
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IXFN24N100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, IXFN24N100, N-Canal-Canal, 24 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si, MOSFET, IXFN24N100, N-Canal-Canal, 24 A, 1000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si.
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Precio unitario: 21,844€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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IXFN27N80Q |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 800 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 19,972€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN32N120 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
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Precio unitario: 40,827€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 143 |
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IXFN36N100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 1 kV, 0.24 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, IXFN36N100, N-Canal-Canal, 36 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si, MOSFET, IXFN36N100, N-Canal-Canal, 36 A, 1000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si.
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Precio unitario: 36,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88 |
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IXFN44N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 17,353€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN44N80P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 800 V, 0.19 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: Módulo; transistor individual; 800V; 39A; SOT227B; Ugs: ±30V; 694W.
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Precio unitario: 12,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 51 |
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IXFN48N50 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 48 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 15,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN60N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Módulo; transistor individual; 600V; 60A; SOT227B; Ugs: ±40V; 694W.
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Precio unitario: 30,635€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN60N80P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 800 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, IXFN60N80P, N-Canal-Canal, 53 A, 800 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 18,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 171 |