Mostrando 342 resultados para Ixys Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFR36N60P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™.
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Precio unitario: 5,801€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 208 |
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IXFR48N60P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™.
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Precio unitario: 7,615€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
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IXFT18N100Q3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase Q3, Canal N, 18 A, 1 kV, 0.66 ohm, 10 V, 6.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, IXFT18N100Q3, N-Canal-Canal, 18 A, 1.000 V, 3-Pin, TO-268 HiperFET, Q3-Class Simple Si.
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Precio unitario: 8,876€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFX20N120P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 20A; 780W; PLUS247™.
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Precio unitario: 11,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 39 |
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IXFX32N100Q3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase Q3, Canal N, 32 A, 1 kV, 0.32 ohm, 10 V, 6.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, IXFX32N100Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 1.000 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si.
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Precio unitario: 13,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFX98N50P3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 98 A, 500 V, 0.05 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 98A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IXFX98N50P3, N-Canal-Canal, 98 A, 500 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Polar3 Simple Si.
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Precio unitario: 6,945€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXGA30N120B3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.5V Disipación de Potencia Pd: 300W
Otros nombres: Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 300W; TO263.
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Precio unitario: 2,899€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 81 |
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IXGA30N60C3C1 |
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Fabricado por:
Transistor Simple IGBT de Carburo de Silicio, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-263, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V Disipación de Potencia Pd: 220W
Otros nombres: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO263-2.
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Precio unitario: 7,285€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXGF32N170 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pines Corriente de Colector DC: 44A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.5V Disipación de Potencia Pd: 200W
Otros nombres: Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c.
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Precio unitario: 10,913€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXGH16N170 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 32A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V Disipación de Potencia Pd: 190W
Otros nombres: IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 5,135€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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IXGH20N120A3 |
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Fabricado por:
Transistor Simple IGBT de Carburo de Silicio, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 180W
Otros nombres: Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO247-3.
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Precio unitario: 2,794€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 54 |
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IXGH24N170 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 250W
Otros nombres: IGBT, IXGH24N170, N-Canal, 50 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, IGBT, IXGH24N170, N-Canal, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 8,973€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 58 |
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IXGH30N60C3C1 |
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Fabricado por:
Transistor Simple IGBT de Carburo de Silicio, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V Disipación de Potencia Pd: 220W
Otros nombres: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3.
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Precio unitario: 22,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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IXGH32N170 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 350W
Otros nombres: IGBT, IXGH32N170, N-Canal, 75 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, IGBT, IXGH32N170, N-Canal, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 10,777€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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IXGH40N120B2D1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.9V Disipación de Potencia Pd: 380W
Otros nombres: IGBT, IXGH40N120B2D1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 8,294€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |