Mostrando 342 resultados para Ixys Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXTQ30N60L2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns.
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Precio unitario: 4,957€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXTQ40N50L2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, LINEAR L2™, Canal N, 40 A, 500 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns.
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Precio unitario: 7,547€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IXTR102N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 54 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 54A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXTR102N65X2, N-Canal-Canal, 54 A, 650 V, 3-Pin, ISOPLUS247 X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 9,836€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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IXTX120N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 120 A, 650 V, 0.023 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXTX120N65X2, N-Canal-Canal, 120 A, 650 V, 3-Pin, PLUS247 X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 11,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXTY2N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 2 A, 650 V, 2.3 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXTY2N65X2, N-Canal-Canal, 2 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 0,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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IXTY4N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 4 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXTY4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 0,704€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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IXTY8N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 8 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXTY8N65X2, N-Canal-Canal, 8 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 0,864€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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IXYB82N120C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pines Corriente de Colector DC: 164A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.75V Disipación de Potencia Pd: 1.04kW
Otros nombres: IGBT, IXYB82N120C3H1, N-Canal, 164 A, 1.200 V, PLUS264, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 12,341€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYH20N120C3D1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 36A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 4V Disipación de Potencia Pd: 230W
Otros nombres: IGBT, IXYH20N120C3D1, N-Canal, 36 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 4,899€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYH40N65C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V Disipación de Potencia Pd: 300W
Otros nombres: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3.
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Precio unitario: 5,694€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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IXYH50N120C3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.1V Disipación de Potencia Pd: 750W
Otros nombres: IGBT, IXYH50N120C3, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 4,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYH82N120C3 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 82A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V Disipación de Potencia Pd: 1.25kW
Otros nombres: IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple.
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Precio unitario: 8,245€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 84 |
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IXYN100N120B3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 165 A, 2.6 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 165A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120B3H1, N-Canal, 165 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 5 to 30kHz Simple.
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Precio unitario: 18,576€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYN100N120C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 134A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.5V
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120C3H1, N-Canal, 134 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 to 50kHz Simple.
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Precio unitario: 25,705€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXYN82N120C3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: IGBT, IXYN82N120C3H1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 to 50kHz Simple.
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Precio unitario: 23,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |