Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Manométrica, 1 mV/kPa, -2 kPa, 2 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Manométrica Sensibilidad, V/P: 1mV/kPa Presión de Operación Mínima: -2kPa

Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Diferencial, 286 mV/kPa, -7 kPa, 7 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Diferencial Sensibilidad, V/P: 286mV/kPa Presión de Operación Mínima: -7kPa

Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Manométrica, 286 mV/kPa, -7 kPa, 7 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Manométrica Sensibilidad, V/P: 286mV/kPa Presión de Operación Mínima: -7kPa

Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Manométrica, 286 mV/kPa, -7 kPa, 7 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Manométrica Sensibilidad, V/P: 286mV/kPa Presión de Operación Mínima: -7kPa

Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Diferencial, 90 mV/kPa, -25 kPa, 25 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Diferencial Sensibilidad, V/P: 90mV/kPa Presión de Operación Mínima: -25kPa

Fabricado por: Nxp

Sensores de Presión

Sensor de Presión, Manométrica, 90 mV/kPa, -25 kPa, 25 kPa, 4.75 V, 5.25 V

Tipo de Presión: Manométrica Sensibilidad, V/P: 90mV/kPa Presión de Operación Mínima: -25kPa

Fabricado por: Nxp

RAM No Volátil

NVRAM, MRAM, 4 Mbit, 35 ns, TSOP

Tipo de Memoria: MRAM Tamaño de la Memoria: 4Mbit Tiempo de Acceso: 35ns

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133VDC Disipación de Potencia Pd: 235W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133V Disipación de Potencia Pd: 182W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133V Disipación de Potencia Pd: 182W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 105 V, 1.333 kW, 700 MHz, 1.3 GHz, NI-1230H-4S

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 700MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Disipación de Potencia Pd: 31.25W

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Disipación de Potencia Pd: 62.5W

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 60 V, 135 W, 520 MHz, 135 MHz, TO-272

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V Disipación de Potencia Pd: 135W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 520MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 6 A, 135 W, 135 MHz, 520 MHz, TO-272

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Disipación de Potencia Pd: 135W