Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 420 MHz, 150 mW, 500 mA, 90 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 420MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 420 MHz, 590 mW, 500 mA, 90 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 420MHz

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 15 V, 200 mW, 500 mA, 200 hFE, SOT-666

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 15 V, 200 mW, 500 mA, 200 hFE

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Nexperia

Transistores Bipolares

Transistor, PBSS2515YPN,115, NPN + PNP 500 mA 15 V Dual UMT, 6 pines, 420 MHz, Aislado

Fabricado por: NEXPERIA

Transistores complementarios

Transistor: NPN / PNP; bipolar; 15V; 500mA; 200mW; SOT363

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 450MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 140 MHz, 2.1 W, 5.3 A, 250 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 12 V, 140 MHz, 2.1 W, 5.3 A, 200 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores bipolares y BJT

Transistor, PBSS302ND,115, NPN 4 A 40 V HFE:50 TSOP, 6 pines, 150 MHz,

Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 20 V, 140 MHz, 600 mW, 5.3 A, 570 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 20V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: NEXPERIA

Transistores NPN SMD

Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5,3A; SOT89

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 20 V, 140 MHz, 700 mW, 5.8 A, 570 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 20V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores Bipolares

Transistor, PBSS302PX,115, PNP 5,1 A 20 V UPAK, 4 pines, 130 MHz, Simple

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -20 V, 130 MHz, 700 mW, -5.5 A, 370 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -20V Frecuencia de Transición ft: 130MHz