Mostrando 7713 resultados para Nexperia.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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PHB66NQ03LT.118 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 399 |
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PHC21025,118 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4535 |
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PHC21025.118 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,298€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 442 |
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PHC2300,118 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 170mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V |
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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PHC2300.118 |
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Fabricado por:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 300/-300V; 0,34/-0,245A; 1,6W |
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Precio unitario: 0,273€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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PHD71NQ03LT,118 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5583 |
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PHDMI2AB4Z |
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Fabricado por:
Dispositivo Protección ESD, 5 V, DFN2510A, 10 Pines, 5 V Tensión Vc Max de Sujeción: 5V Encapsulado del Diodo: DFN2510A Número de Pines: 10Pines |
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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PHDMI2F4 |
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Fabricado por:
Dispositivo Protección ESD, 4.6 V, DFN2510A, 10 Pines, 5.5 V, PHDMI Series Tensión Vc Max de Sujeción: 4.6V Encapsulado del Diodo: DFN2510A Número de Pines: 10Pines |
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Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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PHDMI2FR4Z |
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Fabricado por:
Dispositivo Protección ESD, 3 V, DFN2510A, 10 Pines, 5 V Tensión Vc Max de Sujeción: 3V Encapsulado del Diodo: DFN2510A Número de Pines: 10Pines |
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |
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PHK12NQ03LT,518 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,561€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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PHK5NQ15T,518 |
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Fabricado por:
MOSFET, PHK5NQ15T,518, N-Canal-Canal, 5 A, 150 V, 8-Pin, SOIC Simple Si |
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Precio unitario: 1,544€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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PHKD3NQ10T,518 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3 A, 100 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,423€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 695 |
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PHKD6N02LT,518 |
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Fabricado por:
MOSFET, PHKD6N02LT,518, Dual, N-Canal-Canal, 10,9 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
Otros nombres: MOSFET, PHKD6N02LT,518, Dual, N-Canal-Canal, 10.9 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,420€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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PHN210T,118 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, PHN210T,118, Dual, N-Canal-Canal, 3,4 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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PHP20N06T,127 |
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Fabricado por:
MOSFET, PHP20N06T,127, N-Canal-Canal, 20 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si |
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Precio unitario: 0,743€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |