Mostrando 15012 resultados para ON SEMICONDUCTOR.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MMBT5401LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Frecuencia de Transición ft: 300MHz
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE, Transistor, MMBT5401LT1G, PNP 500 mA 150 V SOT-23, 3 pines, 300 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,033€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40303 |
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MMBT5401LT3G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Frecuencia de Transición ft: 300MHz |
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Precio unitario: 0,022€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27864 |
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MMBT5550 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 140 V, 50 MHz, 225 mW, 600 mA, 60 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 140V Frecuencia de Transición ft: 50MHz |
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Precio unitario: 0,027€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT5550LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 140V Disipación de Potencia Pd: 225mW
Otros nombres: Transistor, MMBT5550LT1G, NPN 600 mA 140 V SOT-23, 3 pines, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 140V; 600mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,032€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6218 |
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MMBT5551 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: TDSTD9425, Transistor, MMBT5551, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, 300 MHz, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0,6A; 350mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 298 |
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MMBT5551LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 225mW
Otros nombres: NPN transistor,MMBT5551 0.6A Ic 5Vce, Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 30 hFE, Transistor, MMBT5551LT1G, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 160V; 600mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,032€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 85334 |
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MMBT5551LT3G |
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Fabricado por:
Transistor, MMBT5551LT3G, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, Simple
Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 600mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT5551M3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 265 mW, 60 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 265mW |
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Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10548 |
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MMBT5771 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -15 V, 225 mW, -200 mA, 20 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -15V Disipación de Potencia Pd: 225mW |
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Precio unitario: 0,709€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1390 |
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MMBT589LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -30V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, Baja Tensión Colector-Emisor (VCE) de Saturación, PNP, -30 V, Transistor digital, MMBT589LT1G, PNP -30 V dc SOT-23, 3 pines, Simple, Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 310/710mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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MMBT5962 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 350 mW, 100 mA, 600 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 350mW
Otros nombres: Transistor, MMBT5962, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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MMBT6427 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 350mW |
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 234 |
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MMBT6427LT1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0,5A; 225mW; SOT23
Otros nombres: Par Darlington, MMBT6427LT1G, NPN 500 mA, 40 V, HFE:10000, SOT-23, 3 pines Simple, Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 225 mW, 500 mA, 200 hFE, Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE.
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Precio unitario: 0,017€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT6428 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 700MHz |
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Precio unitario: 0,021€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT6428LT1G |
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Fabricado por:
Transistor, MMBT6428LT1G, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 250 hFE, Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,051€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |