Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 70V Corriente Directa If(AV): 70mA

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 250 mA, 700 mV, 2 A, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 250mA

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, AEC-Q101, Único, 20 V, 1 A, 500 mV, 125 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 20V Corriente Directa If(AV): 1A

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 250mA

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 500 mA, 460 mV, 10 A, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 500mA

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

AEC-Q101 Diodo, NSVR201MXT5G, 50mA, 2V Schottky, X2DFN, 3-Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 40 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 30mA

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Pequeña Señal

Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 30V Corriente Directa If(AV): 30mA

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores bipolares y BJT

AEC-Q101 Transistor, NSVT489AMT1G, NPN 2 A 30 V HFE:300 TSOP, 6 pines, 100 MHz, Simple

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 238 mA, 20 V, 1.5 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 238mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, NTA4151PT1G, P-Canal, 760 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75) Simple Si

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, NTA4153NT1G, N-Canal-Canal, 915 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75) Simple Si

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-75, FUL

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 915µA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V