Fabricado por: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.

Puentes monofásicos de diodos cuadrados

Puente rectificador trifásico; Urmax: 1,6kV; If: 35A; Ifsm: 400A

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBR640CTT4G, 6A, 40V, DPAK (TO-252), 3-Pines

On Semiconductor Schottky rectifier emplea el principio de barrera Schottky utilizando un metal barrera para crear el mejor cambio de corriente descendente de tensión hacia adelante. Adecuado para rectificaciones de baja tensión y alta frecuencia, así como para un diodo de protección de polaridad y rueda libre en una gama de aplicaciones de montaje en superficie siempre que sea clave un tamaño y peso más compactos.

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBR660CTT4G, 6A, 60V, DPAK (TO-252), 3-Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 20 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 385 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 20V Corriente Directa If(AV): 500mA Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 60 V, 1 A, Único, DO-214AC, 2 Pines, 720 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 60V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBRB1545CTT4G, Conmutación, 15A, 45V, D2PAK (TO-263), 3-Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 200 V, 20 A, Cátodo Común Doble, TO-263, 3 Pines, 1 V

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 20A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 45 V, 30 A, Cátodo Común Doble, TO-263, 3 Pines, 820 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 45V Corriente Directa If(AV): 30A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 45 V, 10 A, Único, TO-252, 3 Pines, 570 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 45V Corriente Directa If(AV): 10A Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBRD8320G, 3A, 20V, DPAK (TO-252), 3-Pines

On Semiconductor Schottky rectifier emplea el principio de barrera Schottky utilizando un metal barrera para crear el mejor cambio de corriente descendente de tensión hacia adelante. Adecuado para rectificaciones de baja tensión y alta frecuencia, así como para un diodo de protección de polaridad y rueda libre en una gama de aplicaciones de montaje en superficie siempre que sea clave un tamaño y peso más compactos.

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBRD8340T4G, 3A, 40V, DPAK (TO-252), 3-Pines

On Semiconductor Schottky rectifier emplea el principio de barrera Schottky utilizando un metal barrera para crear el mejor cambio de corriente descendente de tensión hacia adelante. Adecuado para rectificaciones de baja tensión y alta frecuencia, así como para un diodo de protección de polaridad y rueda libre en una gama de aplicaciones de montaje en superficie siempre que sea clave un tamaño y peso más compactos.

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

SCHOTTKY RECT, AEC-Q101, 35V, TO-252

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 35V Corriente Directa If(AV): 8A Configuración de Diodo: Single

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBRD8835LT4G, Conmutación, 8A, 35V, DPAK (TO-252), 3-Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 100 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 750 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, SBRS8130LT3G, 2A, 30V, DO-214AA (SMB), 2-Pines

This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.