Mostrando 20481 resultados para Odu.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
EZ9E312P2S
EZ9E312P2S

Fabricado por: SCHNEIDER ELECTRIC

Carcasas para aparatos modulares

Carcasa: para aparatos modulares; IP40; blanco; Nro.mód: 36; 500V

- Precio unitario: 16,480€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 8
EZ9E312S2F
EZ9E312S2F

Fabricado por: SCHNEIDER ELECTRIC

Carcasas para aparatos modulares

Carcasa: para aparatos modulares; IP40; blanco; Nro.mód: 36; 500V

- Precio unitario: 16,480€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 10
EZ9E312S2S
EZ9E312S2S

Fabricado por: SCHNEIDER ELECTRIC

Carcasas para aparatos modulares

Carcasa: para aparatos modulares; IP40; blanco; Nro.mód: 36; 500V

- Precio unitario: 16,310€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 7
F30A2S
F30A2S

Fabricado por: Marathon Special Products

Portafusibles

FUSE HOLDER, 14 X 50.8MM, PANEL MOUNT

Tipo de Portafusible: Branch Circuit Cartridge Fuse Holder Corriente del Fusible: 30A Tamaño del Fusible: 9/16" x 2"

Precio unitario: 13,444€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 329
F3L100R07W2E3B11BOMA1
F3L100R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK 2B, Canal N, 100 A, 1.45 V, 300 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 45,891€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 91
F3L100R12W2H3B11BPSA1
F3L100R12W2H3B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.55 V, 375 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 49,422€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
F3L150R07W2E3B11BOMA1
F3L150R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK, Canal N, 150 A, 1.45 V, 335 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 53,593€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L200R07PE4BOSA1
F3L200R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.55 V, 680 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: Módulo IGBT, F3L200R07PE4BOSA1, Serie, 200 A, 650 V, N-Canal, ECONO4, 20-Pines.

Precio unitario: 120,280€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
F3L200R12W2H3B11BPSA1
F3L200R12W2H3B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.55 V, 600 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 71,974€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L300R07PE4BOSA1
F3L300R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 158,110€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L300R07PE4PBOSA1
F3L300R07PE4PBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V

Precio unitario: 169,750€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L400R12PT4B26BOSA1
F3L400R12PT4B26BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 228,920€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
F3L50R06W1E3B11BOMA1
F3L50R06W1E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 33,552€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 38
F3L75R07W2E3B11BOMA1
F3L75R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK 2B, Canal N, 75 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Otros nombres: Módulo IGBT, F3L75R07W2E3B11BOMA1, N-Canal, 95 A, 650 V, EASY2B, 27-Pines, 1MHZ Serie.

Precio unitario: 38,839€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
F4-50R06W1E3
F4-50R06W1E3

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 225 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 20,952€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí