Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FCB20N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2557 |
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FCB20N60FTM |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCB20N60TM |
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Fabricado por:
MOSFET, FCB20N60TM, N-Canal-Canal, 20 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SuperFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 2,920€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCB290N80 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCB36N60NTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FCB36N60NTM, N-Canal-Canal, 36 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SupreMOS Simple Si.
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Precio unitario: 3,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3995 |
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FCD360N65S3R0 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 650 V, 0.31 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, FCD360N65S3R0, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 Simple.
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Precio unitario: 0,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2485 |
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FCD380N60E |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,738€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4577 |
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FCD4N60TM |
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Fabricado por:
MOSFET, FCD4N60TM, N-Canal, 3,9 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 0,383€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FCD5N60TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, FCD5N60TM, N-Canal, 4,6 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).
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Precio unitario: 0,487€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4873 |
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FCD600N60Z |
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Fabricado por:
MOSFET, FCD600N60Z, N-Canal-Canal, 7,4 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) SuperFET II Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 7.4 A, 600 V, 0.51 ohm, 10 V, 3.5 V.
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Precio unitario: 0,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCD620N60ZF |
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Fabricado por:
MOSFET, FCD620N60ZF, N-Canal, 7,3 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga … |
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Precio unitario: 1,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FCD7N60TM |
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Fabricado por:
MOSFET, FCD7N60TM, N-Canal-Canal, 7 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) SuperFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 0,556€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCD850N80Z |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,518€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9891 |
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FCD9N60NTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FCD9N60NTM, N-Canal, 9 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).
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Precio unitario: 0,719€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4729 |
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FCH023N65S3-F155 |
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Fabricado por:
MOSFET, FCH023N65S3-F155, N-Canal-Canal, 75 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 FCH023N65S3 Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V.
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Precio unitario: 10,321€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |