Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDB088N08 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB088N08, N-Canal-Canal, 120 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si |
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Precio unitario: 0,861€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB110N15A |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 92 A, 150 V, 0.00925 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 92A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDB110N15A, N-Canal-Canal, 92 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 1,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB120N10 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB120N10, N-Canal, 74 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la … |
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Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDB12N50TM |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB12N50TM, N-Canal, 11,5 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de … |
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Precio unitario: 1,043€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDB13AN06A0 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,758€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB14N30TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 300 V, 0.24 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V |
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Precio unitario: 0,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB15N50 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB15N50, N-Canal-Canal, 15 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) UniFET Simple Si |
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Precio unitario: 2,215€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB20N50F |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, FDB20N50F, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) UniFET Simple Si.
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Precio unitario: 1,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB2532 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDB2532, N-Canal-Canal, 79 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 835 |
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FDB2552 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDB2552, N-Canal-Canal, 37 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,888€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB2572 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB2572, N-Canal-Canal, 29 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si |
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Precio unitario: 1,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB2614 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB2614, N-Canal-Canal, 62 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 200 V, 0.0229 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB2710 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDB2710, N-Canal-Canal, 50 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 4,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDB28N30TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 300 V, 0.108 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V
Otros nombres: MOSFET, FDB28N30TM, N-Canal-Canal, 28 A, 300 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) UniFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,822€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1132 |
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FDB33N25TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, FDB33N25TM, N-Canal-Canal, 33 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) UniFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |