Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDC8602 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.2 A, 100 V, 0.285 ohm, 10 V, 3.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2369 |
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FDC86244 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 150 V, 0.113 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDC86244, N-Canal-Canal, 2,3 A, 150 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDC8878 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDC8878, N-Canal, 8 A, 30 V, 6-Pin, SOT-23 On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1.6 V.
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDC8884 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FDC8884, N-Canal-Canal, 6,5 A, 30 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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FDD050N03B |
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Fabricado por:
MOSFET N-Ch 30V 90A PowerTrench DPAK On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: MOSFET, FDD050N03B, N-Canal, 90 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDD10AN06A0 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FDD10AN06A0, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 76 |
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FDD10N20LZTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.6 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,270€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 855 |
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FDD120AN15A0 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 150 V, 0.101 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDD120AN15A0, N-Canal-Canal, 14 A, 150 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,386€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1725 |
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FDD13AN06A0 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,546€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5600 |
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FDD1600N10ALZ |
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Fabricado por:
MOSFET, FDD1600N10ALZ, N-Canal-Canal, 6,8 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 100 V, 0.124 ohm, 10 V, 2.8 V.
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Precio unitario: 0,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDD16AN08A0 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 75 V, 0.013 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V |
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Precio unitario: 0,738€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 125 |
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FDD18N20LZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, FDD18N20LZ, N-Canal-Canal, 16 A, 200 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) UniFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,447€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1308 |
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FDD24AN06LA0-F085 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,422€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2350 |
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FDD2572 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 150 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, FDD2572, N-Canal-Canal, 29 A, 150 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,626€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDD2572-F085 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 150 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,622€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |