Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, FDMD82100 Dual, N-Canal, 25 A, 100 V, 12-Pin, PQFN

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar …

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Power Trench, Canal N Doble, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 98A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Power Trench, Canal N Doble, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 103A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 48 A, 100 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Power Trench, Canal N Doble, 201 A, 30 V, 770 µohm, 10 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 201A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, PowerTrench, Canal N Doble, 93 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 93A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, PowerTrench, Canal N Doble, 66 A, 80 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 66A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, FDME1023PZT, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, FDME905PT, P-Canal, 8 A, 12 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Simple Si

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, FDME910PZT, P-Canal, 8 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Simple Si

Fabricado por: On Semiconductor

Controladores MOSFET

Controlador MOSFET, Lado Alto/Bajo, Entrada 4.5V-24V, Pico Salida 2A, Retardo Salida 40ns, PQFN-31

Configuración del Controlador: Lado Alto y Lado Bajo Pico de Corriente de Salida: 2A Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V

Fabricado por: On Semiconductor

Controladores MOSFET

Controlador MOSFET, Lado Alto y Lado Bajo, 4.5 V a 5.5 V, Salida 7 A, Retardo 10 ns, PQFN-31

Configuración del Controlador: Lado Alto y Lado Bajo Pico de Corriente de Salida: 7A Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V