Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FFSP2065BDN-F085
FFSP2065BDN-F085

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

AEC-Q101 Diodo, FFSP2065BDN-F085, 20A, 650V Schottky SiC, TO-220, 3-Pines 2.4V

- Precio unitario: 3,596€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FFSP3065A
FFSP3065A

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 30A

Otros nombres: Módulo de potencia SiC, FFSP3065A, 2 + Tab-Pin, TO-220 Simple SiC.

Precio unitario: 6,111€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1241
FFSP3065B
FFSP3065B

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, FFSP3065B, 30A, 650V Schottky, TO-220, 2-Pines

- Precio unitario: 7,105€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FFSP4065BDN-F085
FFSP4065BDN-F085

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

AEC-Q101 Diodo, FFSP4065BDN-F085, 40A, 650V Schottky SiC, TO-220, 3-Pines 2.4V

- Precio unitario: 7,871€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FFSPF1065A
FFSPF1065A

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 10A

Otros nombres: Diodo, FFSPF1065A, 10A, 650V, TO-220F, 2-Pines, Schottky SiC.

Precio unitario: 1,804€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 988
FFSPF2065A
FFSPF2065A

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, FFSPF2065A, 20A, 650V, TO-220F, 2-Pines, Schottky SiC

Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP.

- Precio unitario: 6,354€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA15N120ANTDTU-F109
FGA15N120ANTDTU-F109

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores Bipolares

Transistor digital, FGA15N120ANTDTU-F109, 1200 V TO-3P, 3 pines, Simple

Otros nombres: Transistor Único IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pines.

- Precio unitario: 1,971€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA15N120ANTDTU_F109
FGA15N120ANTDTU_F109

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA15N120ANTDTU_F109, N-Canal, 24 A, 1.200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

Otros nombres: IGBT, FGA15N120ANTDTU_F109, N-Canal, 24 A, 1200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple.

- Precio unitario: 2,572€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA15S125P
FGA15S125P

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA15S125P, N-Canal, 30 A, 1.250 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

- Precio unitario: 1,270€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA20N120FTDTU
FGA20N120FTDTU

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA20N120FTDTU, N-Canal, 40 A, 1200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

Otros nombres: IGBT, FGA20N120FTDTU, N-Canal, 40 A, 1.200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple.

- Precio unitario: 3,463€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA20S120M
FGA20S120M

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, Propósito General, 40 A, 1.2 kV, 348 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV Disipación de Potencia Pd: 348W

Precio unitario: 2,192€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA20S140P
FGA20S140P

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA20S140P, N-Canal, 40 A, 1.400 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

- Precio unitario: 1,969€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA25N120ANTDTU, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Otros nombres: Transistor Único IGBT, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pines.

- Precio unitario: 2,340€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FGA30N120FTDTU
FGA30N120FTDTU

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA30N120FTDTU, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-3PN, 3-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Otros nombres: IGBT, FGA30N120FTDTU, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 4,362€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FGA30N65SMD
FGA30N65SMD

Fabricado por: On Semiconductor

IGBT

IGBT, FGA30N65SMD, N-Canal, 60 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple

- Precio unitario: 3,036€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí