Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FGB40T65SPD-F085 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Canal N, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V Disipación de Potencia Pd: 267W |
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Precio unitario: 1,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |
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FGB5N60UNDF |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pines Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V Disipación de Potencia Pd: 73.5W |
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Precio unitario: 0,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 800 |
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FGB7N60UNDF |
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Fabricado por:
IGBT, FGB7N60UNDF, N-Canal, 14 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 0,845€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGD3040G2-F085 |
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Fabricado por:
IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple |
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Precio unitario: 1,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGD3245G2-F085 |
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Fabricado por:
Transistor digital, FGD3245G2-F085, 450 (Breakdown) V DPAK, 2 + Tab pines, Simple
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 23 A, 1.13 V, 150 W, 450 V, TO-252AA, 3 Pines, Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK.
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Precio unitario: 0,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGD3440G2-F085 |
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Fabricado por:
AEC-Q100 IGBT, FGD3440G2-F085, N-Canal, 26,9 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple |
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Precio unitario: 0,944€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGD3N60LSDTM |
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Fabricado por:
IGBT, FGD3N60LSDTM, N-Canal, 6 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 0,333€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGD3N60UNDF |
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Fabricado por:
IGBT, FGD3N60UNDF, N-Canal, 6 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 0,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGD5T120SH |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Trinchera, Detención de Campo, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pines Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.9V Disipación de Potencia Pd: 69W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 1200V; 5A; 28W; DPAK.
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Precio unitario: 0,391€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5056 |
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FGH12040WD-F155 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Canal N, 80 A, 2.3 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V Disipación de Potencia Pd: 428W |
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Precio unitario: 2,493€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 329 |
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FGH15T120SMD-F155 |
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Fabricado por:
IGBT, FGH15T120SMD-F155, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 1,547€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGH20N60SFDTU |
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Fabricado por:
Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Otros nombres: Transistor Único IGBT, Propósito General, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines.
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Precio unitario: 1,436€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 81 |
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FGH25T120SMD-F155 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 3,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGH30N60LSDTU |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Propósito General, 60 A, 600 V, 480 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V Disipación de Potencia Pd: 480W |
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Precio unitario: 5,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGH30S130P |
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Fabricado por:
IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 4,341€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |