Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75645P3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUF75645P3, N-Canal-Canal, 75 A, 80 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB.
|
- |
Precio unitario: 1,852€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUF75645S3ST |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 100 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
|
Precio unitario: 1,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 800 |
|
|
HUF75652G3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 100 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, HUF75652G3, N-Canal-Canal, 75 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 3,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 545 |
|
|
HUF76407D3ST |
|
Fabricado por:
|
- |
Precio unitario: 0,203€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUF76423P3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUF76423P3, N-Canal-Canal, 33 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 3 V.
|
- |
Precio unitario: 0,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUF76633P3_F085 |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUF76633P3_F085, N-Canal-Canal, 39 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB UltraFET Simple Si |
- |
Precio unitario: 1,447€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
HUFA75307T3ST |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUFA75307T3ST, N-Canal, 2,6 A, 55 V, 3+Tab-Pin, SOT-223 El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, … |
|
Precio unitario: 0,298€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
HUFA75639S3ST |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUFA75639S3ST, N-Canal, 56 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, … |
|
Precio unitario: 1,348€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
HUFA76409D3ST |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUFA76409D3ST, N-Canal, 18 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, … |
|
Precio unitario: 0,252€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
HUFA76419D3ST |
|
Fabricado por:
MOSFET, HUFA76419D3ST, N-Canal, 20 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V.
|
|
Precio unitario: 0,465€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
HUFA76429D3ST-F085 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 60 V, 0.0205 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, HUFA76429D3ST-F085, N-Canal-Canal, 20 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) UltraFET Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IMD10AMT1G |
|
Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 500 mA, 130 ohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 500mA |
|
Precio unitario: 0,065€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 944 |
|
|
IRF530A |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,9A; 55W; TO220AB.
|
|
Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1186 |
|
|
IRF644B-FP001 |
|
Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 250V, 14A, TO-220 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
|
Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
IRFM120ATF |
|
Fabricado por:
MOSFET, IRFM120ATF, N-Canal, 2,3 A, 100 V, 3+Tab-Pin, SOT-223 On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V.
|
|
Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |