Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NDS351N |
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Fabricado por:
Transistor digital, NDS351N, SOT-23, 3 pines, Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 1.1 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1.6 V.
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDS352AP |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 900mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, NDS352AP, P-Canal, 900 mA, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,087€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22204 |
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NDS355AN |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, NDS355AN, N-Canal-Canal, 1,7 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.6 V.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 97438 |
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NDS356AP |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 1.1 A, -30 V, 0.3 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,107€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29658 |
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NDS7002A |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 280mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, NDS7002A, N-Canal-Canal, 280 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 165000 |
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NDS8425 |
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Fabricado por:
MOSFET, NDS8425, N-Canal, 7,4 A, 20 V, 8-Pin, SOIC On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la … |
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Precio unitario: 0,462€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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NDS8434 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.5 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -700 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,642€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2160 |
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NDS9407 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 3 A, -60 V, 0.078 ohm, -10 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, NDS9407, P-Canal, 3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si, Transistor MOSFET, Canal P, 3 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -1.6 V.
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Precio unitario: 0,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDS9945 |
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Fabricado por:
MOSFET, NDS9945, Dual, N-Canal-Canal, 3,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si |
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Precio unitario: 0,429€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDS9945. |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.5 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3223 |
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NDS9948 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, 2.3 A, -60 V, 0.138 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.3 A, -60 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.5 V, MOSFET, NDS9948, Dual, P-Canal, 2,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,299€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDS9952A |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.7 A, 30 V, 0.06 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V.
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Precio unitario: 0,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2208 |
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NDSH25170A |
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Fabricado por:
Diodo, NDSH25170A, 35A, 1700V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines 2.8V |
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Precio unitario: 15,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDT014 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NDT014L |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, NDT014L, N-Canal-Canal, 2,8 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 Simple Si.
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Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29191 |