Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NST3904F3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 200 MHz, 347 mW, 200 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,041€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 545 |
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NST3906DXV6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -40 V, 357 W, 200 mA, 30 hFE, SOT-563 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 357W
Otros nombres: Transistor, NST3906DXV6T1G, PNP 200 mA 40 V HFE:30 Dual SOT-563, 6 pines, 1 kHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7730 |
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NST3906F3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -40 V, 250 MHz, 290 mW, -200 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 250MHz |
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Precio unitario: 0,033€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12515 |
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NST3946DP6T5G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Complemento N y P, 40 V, 240 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963 Polaridad de Transistor: Complemento N y P Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 240mW |
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Precio unitario: 0,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7150 |
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NST3946DXV6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 500 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-563 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 500mW |
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Precio unitario: 0,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NST45010MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -45 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 380mW |
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Precio unitario: 0,126€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10015 |
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NST45011MW6T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, NPN Doble, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5420 |
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NST65010MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW
Otros nombres: Transistor, NST65010MW6T1G, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3130 |
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NST65011MW6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW
Otros nombres: Transistor, NST65011MW6T1G, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,051€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19247 |
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NST857BDP6T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP Doble, -45 V, 100 MHz, 420 mW, -100 mA, 220 hFE Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7566 |
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NSTB60BDW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 150 mA, 22 kohm, 10 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 150mA |
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Precio unitario: 0,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7790 |
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NSV1C200LT1G |
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Fabricado por:
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 120MHz |
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2587 |
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NSV1C201LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 110 MHz, 710 mW, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Frecuencia de Transición ft: 110MHz |
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Precio unitario: 0,143€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 571 |
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NSV1C201MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 100 MHz, 800 mW, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor digital, NSV1C201MZ4T1G, NPN 100 V dc SOT-223, 3 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,170€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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NSV1C300ET4G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -100 V, 100 MHz, 33 W, -3 A, 120 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSV1C300ET4G, PNP 3 A 100 V DPAK (TO-252), 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1622 |