Fabricado por: Renesas Electronics

IGBT

IGBT, RJH65T46DPQ-A0#T0, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247A, 3-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Renesas Electronics

IGBT

IGBT, RJH65T47DPQ-A0#T0, N-Canal, 90 A, 650 V, TO-247A, 3-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Renesas

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Fabricado por: Renesas

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: Renesas

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Fabricado por: Renesas

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Fabricado por: Renesas Electronics

IGBT

IGBT, RJP65T43DPM-00#T1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-3PFM, 3+Tab-Pines Simple

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 bits, 2.7V a 3.6V, STSOP, 32 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 4Mbit Configuración de Memoria SRAM: 512K x 8 bits Rango de Tensión de Alimentación: 2.7V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 bits, 2.7V a 3.6V, TSOP-II, 32 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 4Mbit Configuración de Memoria SRAM: 512K x 8 bits Rango de Tensión de Alimentación: 2.7V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 bits, 2.7V a 3.6V, SOP, 32 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 4Mbit Configuración de Memoria SRAM: 512K x 8 bits Rango de Tensión de Alimentación: 2.7V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 2.7V a 3.6V, FBGA, 48 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 4Mbit Configuración de Memoria SRAM: 256K x 16bit Rango de Tensión de Alimentación: 2.7V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 2.7V a 3.6V, TSOP-II, 44 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 4Mbit Configuración de Memoria SRAM: 256K x 16bit Rango de Tensión de Alimentación: 2.7V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

RAM

ICRAM5885

SRAM 256Kx16 45ns TSOP44

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 8 Mbit, 1M x 8bit, 2.4V a 3.6V, TSOP-II, 44 Pines, 45 ns

Tamaño de la Memoria: 8Mbit Configuración de Memoria SRAM: 1M x 8bit Rango de Tensión de Alimentación: 2.4V a 3.6V

Fabricado por: Renesas

SRAM

SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 bits, 2.4V a 3.6V, FBGA, 48 Pines, 45 ns