Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 180MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores bipolares y BJT

Transistor, 2SC4081U3T106, NPN 150 mA 50 V HFE:120 SOT-323, 3 pines, 100 MHz,

El transistor Rohm SOT-323 de montaje superficial de 3 pines tiene una corriente nominal máxima del colector de 150mA y una tensión nominal máxima del colector-emisor de 50V. La máxima disipación de potencia es de 200mW y hay un solo elemento por chip. La tensión máxima de la base del colector es 60V y la tensión máxima de la base del emisor es 7V.

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 180MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 180MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores bipolares y BJT

Transistor, 2SC4082T106/P, NPN 50 mA 20 V HFE:82 UMT, 3 pines, 1.500 W,

Transistores de empalme bipolar de alta frecuencia y banda ancha de Rohm para aplicaciones tales como osciladores de HF y amplificadores de RF.

Fabricado por: Rohm

Transistores Bipolares de RF

Transistor de RF - Bipolar, NPN, 20 V, 1.5 GHz, 200 mW, 50 mA, 82 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 20V Frecuencia de Transición ft: 1.5GHz

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD7870

NPN TRANSISTOR 11V 0,05A UMT3

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD7370

NPN TRANSISTOR 32V 0,05A UMT3

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 32 V, 250 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 32V Frecuencia de Transición ft: 250MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 25 V, 300 MHz, 200 mW, 10 mA, 82 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 25V Frecuencia de Transición ft: 300MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 120V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 120V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 120V Frecuencia de Transición ft: 140MHz

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD9093

NPN TRANSISTOR 120V 0,05A UMT3

Fabricado por: Rohm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 120V Frecuencia de Transición ft: 140MHz