Fabricado por: Rohm

Diodos de Pequeña Señal

Diodo de Señal Pequeña, Doble con Cátodo Común, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A

Configuración de Diodo: Doble con Cátodo Común Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 80V Corriente Directa If(AV): 100mA

Fabricado por: Rohm

Diodos de Pequeña Señal

Diodo de Señal Pequeña, Doble con Ánodo Común, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A

Configuración de Diodo: Doble con Ánodo Común Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 80V Corriente Directa If(AV): 100mA

Fabricado por: Rohm

Diodo de Conmutación

Diodo de conmutación, EMP11T2R, 300mA, 80V, EMD6, SC-107C, SOT-563, 6-Pines

ROHM's switching diodes, including diode arrays, are available in high-reliability packages and stable supply for various applications.

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD7744

PNP/PNP DUAL-TRANS. 0,15A...

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Transistores Bipolares

Transistor, EMX26T2R, NPN 150 mA 50 V Dual SOT-563, 6 pines, 100 MHz, Aislado

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD7745

NPN/NPN DUAL-TRANS. 0,15A...

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Transistores bipolares y BJT

Transistor, EMZ51T2R, NPN + PNP 200 (NPN) mA, 200 (PNP) mA 20 (NPN) V, -20 (PNP) V HFE:120 Dual SOT-563 (SC-107C)

Chips 2SAR522 y 2SCR522 en un encapsulado.

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 6.8 V, Anodo Común Doble, 150 mW, 150 °C, SOT-416

Tensión Zener Vz Típica: 6.8V Configuración de Diodo: Anodo Común Doble Disipación de Potencia Pd: 150mW

Fabricado por: Rohm

Standard Bipolar Transistor

TDSTD9051

NPN/PNP DUAL-TR.12V 0,5A EMT6

Fabricado por: Rohm

Transistores bipolares y BJT

Transistor, EMZ8T2R, 150 (NPN) mA, 500 (PNP) mA -12 (PNP) V, 50 (NPN) V HFE:120, 270 Dual EMT6, 6 pines, 100 MHz

Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs and so forth.