Mostrando 7957 resultados para Rohm.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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QS6K21FRATR |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 1 A, 45 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V |
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Precio unitario: 0,132€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4437 |
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QS6K21TR |
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Fabricado por:
MOSFET, QS6K21TR, Dual, N-Canal-Canal, 1 A, 45 V, 6-Pin, SOT-457T QS6K21
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 1 A, 45 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.5 V, MOSFET, QS6K21TR Dual, N-Canal, 1 A, 45 V, 6-Pin, SOT-457T.
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Precio unitario: 0,394€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS6M3TR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,161€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 55815 |
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QS6M4TR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 1.5 A, 20 V, 0.36 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS6336.
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Precio unitario: 0,159€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS6U22TR |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 1.5 A, -20 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOS2766.
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Precio unitario: 0,161€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS6U24TR |
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Fabricado por:
MOSFET, QS6U24TR, P-Canal, 1 A, 30 V, 6-Pin, TSMT Los MOSFET de ROHM se han fabricado como dispositivos de baja resistencia RDS(on) utilizando las tecnologías de microprocesamiento y están disponibles en una amplia gama incluidos tipos híbridos (MOSFET + diodo de barrera Schottky) para satisfacer diversas necesidades del mercado.
Otros nombres: MOSFET, QS6U24TR, P-Canal, 1 A, 30 V, 6-Pin, TSMT QS6U24 Simple, Transistor MOSFET, Canal P, 1 A, -30 V, 0.8 ohm, -10 V, -2.5 V.
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Precio unitario: 0,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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QS6Z5TR |
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Fabricado por:
Transistor, QS6Z5TR, NPN + PNP 1 (NPN) A, 1 (PNP) A 50 HFE:180 Dual SOT-457, 6 pines, 100 MHz, Hay dispositivos que integran dos transistores disponibles en encapsulados ultra compactos, adecuados para diversas aplicaciones como circuitos de amplificación de diferencial de preamplificador, osciladores de alta frecuencia, CI de controlador, etcétera.
Otros nombres: Transistor, QS6Z5TR, NPN + PNP 1 (NPN) A, 1 (PNP) A 50 Dual SOT-457, 6 pines, 100 MHz, Complejo.
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Precio unitario: 0,179€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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QS8J13TR.. |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -5.5 A, -12 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -5.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS8J2TR |
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Fabricado por:
MOSFET, QS8J2TR Dual, P-Canal, 4 A, 12 V, 8-Pin, TSMT Los MOSFET de tipo complejo (P+P) están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia variedad de aplicaciones. Amplia gama que abarca tipos compacto, tipos de alta potencia y tipos complejos para satisfacer diversas necesidades del mercado. |
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Precio unitario: 0,275€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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QS8J4FRATR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -30 V, 0.04 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS8J4TR |
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Fabricado por:
MOSFET, QS8J4TR Dual, P-Canal, 4 A, 30 V, 8-Pin, TSMT Los MOSFET de tipo complejo (P+P) están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia variedad de aplicaciones. Amplia gama que abarca tipos compacto, tipos de alta potencia y tipos complejos para satisfacer diversas necesidades del mercado.
Otros nombres: MOSFET, QS8J4TR, Dual, P-Canal, 4 A, 30 V, 8-Pin, TSMT QS8J4.
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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QS8J5TR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, 5 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 214 |
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QS8K13TCR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 940 |
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QS8K21TR |
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Fabricado por:
MOSFET, QS8K21TR, Dual, N-Canal-Canal, 4 A, 45 V, 8-Pin, TSMT QS8K21
Otros nombres: MOSFET, QS8K21TR Dual, N-Canal, 4 A, 45 V, 8-Pin, TSMT.
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Precio unitario: 0,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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QS8K2FRATR |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,266€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 60 |