Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, RF4C100BCTCR, P-Canal, 10 A, 20 V, 8-Pin, HUML2020

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -7.5 A, -30 V, 0.0167 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, RF4E080BNTR, N-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, HUML2020L

Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, RF4E110BNTR, N-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, HUML2020

Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, RF4L055GNTCR, N-Canal-Canal, 5,5 A, 60 V, 8-Pin, HUML2020L RF4L055GN Simple

Fabricado por: Rohm

Diodos Rectificadores de Recuperación Rápida y Ultrarrápida

Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 200 V, 5 A, Único, 920 mV, 25 ns, 40 A

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 5A Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: Rohm

Diodos Rectificadores de Recuperación Rápida y Ultrarrápida

Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 600 V, 5 A, Único, 1.7 V, 30 ns, 50 A

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 5A Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: Rohm

Diodos Rectificadores de Recuperación Rápida y Ultrarrápida

Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 930 mV, 25 ns, 60 A

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble

Fabricado por: Rohm

Fast-Diodes-Rectifiers

DSGL6109

SI-DIODE 6A 200V TO-252

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, RF6C055BCTCR, P-Canal, 5,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363T RF6C055BC Simple

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 30 V, 0.0169 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

Diodos Rectificadores de Recuperación Rápida y Ultrarrápida

Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 500 mA, Único, 950 mV, 35 ns, 10 A

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 200V Corriente Directa If(AV): 500mA Configuración de Diodo: Único

Fabricado por: Rohm

Diodos Rectificadores de Recuperación Rápida y Ultrarrápida

Diodo Rápido / Ultrarápido, AEC-Q101, 350 V, 10 A, Único, 1.5 V, 30 ns, 80 A

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 350V Corriente Directa If(AV): 10A Configuración de Diodo: Único