Mostrando 7957 resultados para Rohm.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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RQ3E100BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E100BNTB, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, HSMT El RQ3E100BN es un MOSFET con encapsulado de alta potencia (HSMT8) para conmutación.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,151€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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RQ3E100GNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E100GNTB, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, HSMT Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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RQ3E120ATTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -39 A, -30 V, 0.0061 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: TMOS3634.
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Precio unitario: 0,225€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1082 |
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RQ3E120BNTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E120GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2018.
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 139 |
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RQ3E130BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E130BNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E130BN Simple
Otros nombres: MOSFET, RQ3E130BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT, Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,314€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E150BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E150BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Otros nombres: MOSFET, RQ3E150BNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E150BN Simple.
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Precio unitario: 0,307€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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RQ3E150GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, RQ3E150GNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT, MOSFET, RQ3E150GNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E150GN Simple.
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Precio unitario: 0,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2503 |
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RQ3E160ADTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2985 |
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RQ3E160ADTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,201€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E180BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E180BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT El RQ3E180BN es un MOSFET de baja resistencia de conexión con encapsulado de alta potencia para aplicaciones de conmutación. |
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Precio unitario: 0,267€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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RQ3E180GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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RQ3G100GNTB |
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Fabricado por:
N-CH 40V 27A 11mOhm HSMT8 |
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Precio unitario: 0,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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RQ3G100GNTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1392 |
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RQ3G150GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: STDMOS1033.
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Precio unitario: 0,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 79 |