Mostrando 7957 resultados para Rohm.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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RQ3E100BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E100BNTB, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, HSMT El RQ3E100BN es un MOSFET con encapsulado de alta potencia (HSMT8) para conmutación.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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RQ3E100GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, RQ3E100GNTB, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, HSMT.
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E120ATTB |
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Fabricado por:
P-CH 30V 39A 6,1mOhm HSMT8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -39 A, -30 V, 0.0061 ohm, -10 V, -2.5 V.
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Precio unitario: 0,389€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E120BNTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E120GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2018.
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 139 |
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RQ3E130BNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, RQ3E130BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT, MOSFET, RQ3E130BNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E130BN Simple.
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Precio unitario: 0,123€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1980 |
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RQ3E150BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E150BNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E150BN Simple
Otros nombres: MOSFET, RQ3E150BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E150GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, RQ3E150GNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT, MOSFET, RQ3E150GNTB, N-Canal-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT RQ3E150GN Simple.
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Precio unitario: 0,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2503 |
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RQ3E160ADTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2985 |
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RQ3E160ADTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,201€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RQ3E180BNTB |
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Fabricado por:
MOSFET, RQ3E180BNTB, N-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, HSMT El RQ3E180BN es un MOSFET de baja resistencia de conexión con encapsulado de alta potencia para aplicaciones de conmutación. |
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Precio unitario: 0,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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RQ3E180GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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RQ3G100GNTB |
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Fabricado por:
N-CH 40V 27A 11mOhm HSMT8 |
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Precio unitario: 0,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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RQ3G100GNTB.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1392 |
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RQ3G150GNTB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: STDMOS1033.
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Precio unitario: 0,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 79 |