Mostrando 7957 resultados para Rohm.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SCT3022KLHRC11 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS2738.
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Precio unitario: 85,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT3030ALGC11 |
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Fabricado por:
SiC-N 650V 70A 39mOhm TO247-3
Otros nombres: MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V.
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Precio unitario: 33,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3030ALHRC11 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 29,866€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT3030ARC14 |
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Fabricado por:
MOSFET, SCT3030ARC14, N-Canal-Canal, 70 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC SCT3030AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance. |
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Precio unitario: 0,962€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3030KLGC11 |
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Fabricado por:
SiC-N 1200V 72A 30mOhm TO247N
Otros nombres: MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V, TMOS1635.
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Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3030KLHRC11 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 72A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS2739.
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Precio unitario: 55,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT3040KLGC11 |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS1470, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 55A; 262W; TO247-3.
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Precio unitario: 23,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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SCT3040KLHRC11 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
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Precio unitario: 31,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT3040KRC14 |
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Fabricado por:
MOSFET, SCT3040KRC14, N-Canal-Canal, 55 A, 1.200 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC SCT3040KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance. |
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3060ALGC11 |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1515, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247-3.
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Precio unitario: 10,098€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 64 |
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SCT3060ALHRC11 |
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Fabricado por:
SiC N-CH 650V 39A 60mOhm...
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V.
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Precio unitario: 17,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3060ARC14 |
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Fabricado por:
MOSFET, SCT3060ARC14, N-Canal-Canal, 39 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC SCT3060AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance. |
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Precio unitario: 0,431€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3080ALGC11 |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1870.
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Precio unitario: 7,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 370 |
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SCT3080ALHRC11 |
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Fabricado por:
SiC-N 650V 80mOhm 30A TO247N
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V.
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Precio unitario: 12,891€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SCT3080ARC14 |
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Fabricado por:
MOSFET, SCT3080ARC14, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 Simple SiC |
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Precio unitario: 13,173€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |