Fabricado por: Rohm

Diodos TVS

Diodo TVS Unidireccional, UMZ6.8NUMTL, 200mW, SOT-323FL, 3-Pines

UMZ6.8NUM is a Transient Voltage Suppressor with small mold package, suitable for Surge Protection.

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 7.5 V, Aislado Doble, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-343

Tensión Zener Vz Típica: 7.5V Configuración de Diodo: Aislado Doble Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 8.2 V, Aislado Doble, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-343

Tensión Zener Vz Típica: 8.2V Configuración de Diodo: Aislado Doble Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Diodos TVS

Diodo TVS Unidireccional, UMZ8.2NUMTL, 200mW, SOT-323FL, 3-Pines

UMZ8.2NUM is a Transient Voltage Suppressor with small mold package, suitable for Surge Protection.

Fabricado por: Rohm

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 6.8 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 6.8V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SOT-323

Fabricado por: Rohm

Elementos de Protección ESD

Dispositivo Protección ESD, SOT-323, 3 Pines, 200 mW

Encapsulado del Diodo: SOT-323 Número de Pines: 3Pines Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 6.8 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 6.8V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SOT-323

Fabricado por: Rohm

Protection Diodes

DTRL7759

ESD PROTECTION DIODE 6,2V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 30 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.3 A, -12 V, 0.19 ohm, -4.5 V, -1 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.5 A, 30 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, US6K2TR Dual, N-Canal, 1,4 A, 30 V, 6-Pin, SOT-363T

Complex type MOSFETs (N+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, US6M1TR Dual N/P-Canal, 6-Pin, TUMT

Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.