Fabricado por: Rohm

Diodos TVS

Diodo TVS Unidireccional, UMZ6.8NUMTL, 200mW, SOT-323FL, 3-Pines

UMZ6.8NUM is a Transient Voltage Suppressor with small mold package, suitable for Surge Protection.

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 7.5 V, Aislado Doble, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-343

Tensión Zener Vz Típica: 7.5V Configuración de Diodo: Aislado Doble Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Array de Diodos Zener

Array de Diodos Zener, 8.2 V, Aislado Doble, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-343

Tensión Zener Vz Típica: 8.2V Configuración de Diodo: Aislado Doble Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Diodos TVS

Diodo TVS Unidireccional, UMZ8.2NUMTL, 200mW, SOT-323FL, 3-Pines

UMZ8.2NUM is a Transient Voltage Suppressor with small mold package, suitable for Surge Protection.

Fabricado por: Rohm

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 6.8 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 6.8V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SOT-323

Fabricado por: Rohm

Elementos de Protección ESD

Dispositivo Protección ESD, SOT-323, 3 Pines, 200 mW

Encapsulado del Diodo: SOT-323 Número de Pines: 3Pines Disipación de Potencia Pd: 200mW

Fabricado por: Rohm

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 6.8 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 6.8V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SOT-323

Fabricado por: Rohm

Protection Diodes

DTRL7759

ESD PROTECTION DIODE 6,2V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 30 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, US6J11TR, P-Canal, 1,3 A, 12 V, 6-Pin, SOT-363T

Los MOSFET (P+P) de tipo complejo están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.5 A, 30 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, US6K2TR Dual, N-Canal, 1,4 A, 30 V, 6-Pin, SOT-363T

Complex type MOSFETs (N+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Rohm

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Fabricado por: Rohm

MOSFET

MOSFET, US6M1TR Dual N/P-Canal, 6-Pin, TUMT

Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.