Mostrando 4912 resultados para SCHOTT.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SGL41-40-E3/96
SGL41-40-E3/96

Fabricado por: VISHAY

Diodos Schottky SMD

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 40V; 1A; DO213AB

Otros nombres: DSKY5976, Diodo, SGL41-40-E3/96, 1A, 40V, DO-213AB, 2-Pines.

- Precio unitario: 0,135€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SGL41-50-E3/96
SGL41-50-E3/96

Fabricado por: VISHAY

Diodos Schottky SMD

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 50V; 1A; DO213AB

Precio unitario: 0,133€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SGL41-60-E3/96
SGL41-60-E3/96

Fabricado por: Vishay

Diodos Schottky Rectificadores

SCHOTTKY RECTIFIER, 1A 60V DO-213AB

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 60V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Single

Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 60V; 1A; DO213AB.

Precio unitario: 0,349€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 278
SI5855DC-T1-GE3
SI5855DC-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,9A; 0,6W

Precio unitario: 0,466€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIA817EDJ-T1-GE3
SIA817EDJ-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

IGBT

Single N-Ch PPAK SC70 30V with Schottky

- Precio unitario: 0,105€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIC772CD-T1-GE3
SIC772CD-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Controladores MOSFET

Etapa de Potencia DrMOS, MOSFET con Diodo Schottky Integrado, Alimentación de 4.5V-24V, 40Aout

Configuración del Controlador: Lado Alto y Lado Bajo Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V Tensión de Alimentación Máx.: 24V

Precio unitario: 0,738€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,352€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5952
SISS60DN-T1-GE3
SISS60DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 181.8 A, 30 V, 0.00109 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 181.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, SISS60DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 181.8 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.

Precio unitario: 0,563€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 30
SISS66DN-T1-GE3
SISS66DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 178.3 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 178.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,557€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIZ790DT-T1-GE3
SIZ790DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,451€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZF906ADT-T1-GE3
SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,525€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIZF914DT-T1-GE3
SIZF914DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 25 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,590€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5.

Precio unitario: 0,597€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050
SIZF918DT-T1-GE3
SIZF918DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,534€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050
SK10100D1-DIO
SK10100D1-DIO

Fabricado por: DIOTEC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky SMD

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 100V; 10A; DPAK

Precio unitario: 0,168€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 453